Transistor IRFW644B Mosfet 250V 14A TO-263 Fairchild Semiconductor

 Τεχνικές προδιαγραφές

Αυτά τα τρανζίστορ εφέ πεδίου ισχύος λειτουργίας βελτίωσης N-Channel παράγονται χρησιμοποιώντας την ιδιόκτητη, επίπεδη τεχνολογία DMOS της Fairchild.

Αυτή η προηγμένη τεχνολογία έχει σχεδιαστεί ειδικά για να ελαχιστοποιεί την αντίσταση στην κατάσταση, να παρέχει ανώτερη απόδοση μεταγωγής και να αντέχει σε παλμούς υψηλής ενέργειας στη λειτουργία χιονοστιβάδας και μεταγωγής.

Αυτές οι συσκευές είναι κατάλληλες για υψηλής απόδοσης μεταγωγή μετατροπέα DC/DC και τροφοδοτικά λειτουργίας διακόπτη.

Χαρακτηριστικά

Γρήγορη εναλλαγή.
100% avalanche tested.
Χαμηλό Crss (συνήθης 30 pF).
Βελτιωμένη δυνατότητα dv/dt.
Χαμηλή φόρτιση πύλης (συνήθης 47 nC).
14A, 250V, RDS(on) = 0,28Ω @VGS = 10 V.

Τεχνικά χαρακτηριστικά

Μοντέλο: IRFW644B.
Οικογένεια Τεχνολογίας: DMOS.
VDSS: 250 V.
ID: 14 A.
IDM: 56 A.
VGSS: ± 30 A.
EAS: 480 mJ.
IAR: 14 A.
EAR: 13.9 mJ.
dv/dt: 5.5 V/ns.
PD: 3.13 W.
TJ, Tstg: -55~+150 °C.
TL: 300 °C.
Pins: 3.
RoHS: Ναί.
Διαστάσεις: 15.30 x 9.90 x 4.50 mm.