Transistors Bipolar MJE13007G BJT 8A 400V 80W NPN

-23% Αναμένεται Σύντομα Transistors Bipolar MJE13007G BJT 8A 400V 80W NPN
Specifications

Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220-3
Transistor Polarity: NPN
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector- Base Voltage VCBO: 700 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
Maximum DC Collector Current: 8 A
Gain Bandwidth Product fT: 14 MHz
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Continuous Collector Current: 8 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 8
Height: 15.75 mm
Length: 10.53 mm
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 80 W
Factory Pack Quantity: 50
Width: 4.83 mm
Unit Weight: 6 g
  • Κατασκευαστής: ON Semiconductor
  • Κωδικός Προϊόντος: 010875
  • Διαθεσιμότητα: Αναμένεται Σύντομα
  • Στο κατάστημα: 1,71€
  • Τιμή web: 1,32€
  • (H τιμή συμπεριλαμβάνει ΦΠΑ)
  • Χωρίς ΦΠΑ: 1,06€

Χρειάζεσαι βοήθεια;  +30 26510 24011