Transistor N-Mosfet αμφιπολικό 200V 76A 375W TO220AB IRFB4127PBF Infineon Technologies
Νέο
-60%
Προβολή
Το IRFB4127PBF της Infineon Technologies είναι N-channel MOSFET τεχνολογίας HEXFET®, κατάλληλο για εφαρμογές υψηλής τάσης και ρεύματος.
Προσφέρει χαμηλή αντίσταση αγωγιμότητας (20mΩ), μέγιστο ρεύμα 76A και ισχύ απαγωγής έως 375W, εξασφαλίζοντας αποδοτική λειτουργία και χαμηλές απώλειες.
Το περίβλημα TO-220AB επιτρέπει εύκολη συναρμολόγηση (THT) και αποτελεσματική ψύξη.
Χαρακτηριστικά
• Τεχνολογία: HEXFET®
• Τύπος: N-MOSFET, εμπλουτισμένου καναλιού
• Τάση Drain-Source: 200V
• Ρεύμα Drain: 76A
• Αντίσταση αγωγιμότητας: 20mΩ
• Ισχύς απαγωγής: 375W
• Τάση Gate-Source: ±20V
• Φορτίο πύλης: 0.1µC
• Συναρμολόγηση: THT
• Περίβλημα: TO-220AB
-7%
Κατόπιν Παραγγελίας
Ref Code: 040578
Με την ενεργοποίηση του option OP-002-FM, καθίστανται εφικτές κάποιες πρόσθετες μετρήσεις FM πέρα α..
1.142,57€ 1.066,40€
Χωρίς ΦΠΑ:860,00€
Χωρίς ΦΠΑ:860,00€
