Transistor NPN 80V 8A 62.5W TO-220 BD647
Προβολή
Description
- Collector-emitter breakdown voltage - : V(BR)CEO= 80V(Min)
- High DC current gain - : hFE= 750(Min) @IC= 3A
- Low saturation voltage
- Complementary to type BD648
applications
designed for use as a complementary AF push-pull
output stage application
type Bipolar junction transistors (BJTs)
execution Darlington transistors
technology NPN
Design TO-220
Electrical values
Uceo 80 V
Ic 8 A
Ptot 62.5 W
fT 7 MHz
hFE >750
-24%
Κατόπιν Παραγγελίας
Ref Code: 041442
Επιδαπέδια καμπίνα με γυάλινη πόρτα
Η σειρά MS2 της DATEUP, είναι ειδικά σχεδιασμένη για servers υ..
824,60€ 626,70€
Χωρίς ΦΠΑ:505,40€
Χωρίς ΦΠΑ:505,40€
