Transistor IGBT 650v 60A 600w TO-3PN FGA60N65SMD onsemi

Νέο Transistor IGBT 650v 60A 600w TO-3PN FGA60N65SMD onsemi

Specifications

Package/Case: TO-3PN
Mounting Style: Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 120 A
Pd - Power Dissipation: 600 W
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
  • Κωδικός Προϊόντος: 034269
  • Διαθεσιμότητα: Διαθέσιμο
  • Τιμή web: 9,60€
  • (H τιμή συμπεριλαμβάνει ΦΠΑ)
  • Χωρίς ΦΠΑ: 7,74€

Χρειάζεσαι βοήθεια;  +30 26510 24011